Apple akan bertukar daripada menggunakan denyar NAND TLC (sel tiga peringkat) kepada denyar NAND MLC (sel berbilang peringkat) dalam iPhone 6 dan iPhone 6 Plus selepas pengguna mempunyai berpengalaman masalah ranap dan gelung but dengan versi kapasiti yang lebih tinggi bagi kedua-dua peranti, laporan PerniagaanKorea .
Sumber telah memberitahu akhbar itu bahawa firma memori kilat Anobit, yang diperoleh Apple pada 2011, dipersalahkan atas kecacatan pembuatan. Apple dilaporkan akan bertukar kepada MLC NAND flash untuk 64GB iPhone 6 dan 128GB iPhone 6 Plus, dan juga akan menangani masalah ranap dan gelung but dengan keluaran iOS 8.1.1. Apple telah menggunakan MLC NAND flash sebelum ini, dalam iPhone generasi sebelumnya.
Denyar TLC NAND ialah sejenis memori denyar NAND keadaan pepejal yang menyimpan tiga bit data setiap sel. Ia boleh menyimpan tiga kali lebih banyak data daripada sel peringkat tunggal (SLC) yang menyimpan satu bit data, dan 1.5 kali lebih banyak daripada memori kilat keadaan pepejal sel berbilang peringkat (MLC) yang menyimpan dua bit data. Selain itu, TLC flash lebih berpatutan. Walau bagaimanapun, ia juga lebih perlahan daripada SLC atau MLC dalam membaca dan menulis data.
Apple mengeluarkan iOS 8.1.1 beta pertamanya kepada pembangun awal minggu ini, walaupun syarikat itu tidak menyatakan sama ada pembetulan pepijat yang disertakan menangani masalah gelung but dan ranap pada iPhone 6 dan iPhone 6 Plus. Pengguna yang mengalami jumlah gelung but yang luar biasa dan ranap dengan iPhone 6 atau iPhone 6 Plus mereka disyorkan untuk membawa peranti mereka kembali ke Kedai Runcit Apple untuk penggantian.
Jawatan Popular